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三菱IPM模塊PM800HSA060

三菱IPM模塊PS21867-P

IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅動及保護電路構成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內部功率電路配置的不同可分為四類:H型（內部封裝一個IGBT）、D型（內部封裝兩個IGBT）、C型（內部封裝六個IGBT）和R型（內部封裝七個IGBT）。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣

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PM300CLA120三菱IPM模塊，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅動及保護電路構成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內部功率電路配置的不同可分為四類:H型（內部封裝一個IGBT）、D型（內部封裝兩個IGBT）、C型（內部封裝六個IGBT）和R型（內部封裝七個IGBT）。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣

IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅動及保護電路構成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內部功率電路配置的不同可分為四類:H型（內部封裝一個IGBT）、D型（內部封裝兩個IGBT）、C型（內部封裝六個IGBT）和R型（內部封裝七個IGBT）。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣。

IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅動及保護電路構成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。 IPM根據(jù)內部功率電路配置的不同可分為四類:H型（內部封裝一個IGBT）、D型（內部封裝兩個IGBT）、C型（內部封裝六個IGBT）和R型（內部封裝七個IGBT）。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣

IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅動及保護電路構成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。 IPM根據(jù)內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣。