IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小

產品型號：FF600R12ME4
廠商性質：經銷商
更新時間：2024-01-19
訪問量：5672

立即咨詢

聯系電話：010-64824799

詳細介紹

北京京誠宏泰科技原裝正品現貨銷售英飛凌IGBT模塊FF600R12ME4

典型應用
• • 大功率變流器
• • 電機傳動
• • 伺服驅動器
• • UPS系統
• • 風力發電機

電氣特性
• • 低VCEsat
• • Tvjop=150°C
• • VCEsat帶正溫度系數

FF600R12ME4的新款EconoDUAL™ 3模塊是頗受歡迎的EconoDUAL™系列中功率zui高的產品，電壓為1200V，電流為600A。典型應用包括變頻器、光伏發電系統中的集中式逆變器和CAV車輛的柴油發電機驅動等。這款產品在互連技術和熱阻方面實現了*模塊設計，具有很高的電流利用率，因而十分高效。借助EconoDUAL™ 3 FF600R12ME4，用戶可以將功率范圍提高多達30%，而產品的封裝尺寸保持不變。除熟悉的焊接式控制端之外，EconoDUAL™ 3系列的這款新產品還提供高度可靠的PressFIT壓接技術控制端。
FF450R17ME3
FF225R17ME4
FF450R12ME3
FF300R12ME3
FF225R12ME4
FF600R06ME3
FF200R17KE4 200A,1700V 原裝
FF300R17KE4 300A,1700V 原裝
FF150R17KE4 150A,1700V 原裝
FF600R12ME4 600V,1200V 原裝
FF600R12ME4
FF450R17ME4
FF450R12ME4
FF300R17ME4
FF300R17ME3
FF300R12ME4
FF1000R17IE4
FF650R17IE4
FF600R12IS4F
FF450R17IE4
FF1400R12IP4
FF900R12IP4
FF900R12IE4
FF600R12IP4
FF600R12IE4
FF450R12IE4
FF900R12IE4 900A,1200V,IGBT4,PrimePack2
FF225R17ME4 225A,1700V,螺栓型原裝
FF300R17ME4 300A,1700V,螺栓型原裝