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三菱IGBT模塊CM600HG-90H

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小

  • 產品型號:CM600HG-90H
  • 廠商性質:經銷商
  • 更新時間:2024-01-19
  • 訪  問  量:3926
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MITSUBISHI三菱IGBT模塊CM600HG-90H

MITSUBISHI三菱高壓單管1單元IGBT模塊VCES=4500V;IC=900A

北京京誠宏泰科技原裝正品現貨銷售MITSUBISHI三菱IGBT模塊CM600HG-90H

CM200HG-130H  

CM400HG-66H      

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