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英飛凌IGBT模塊FF400R06KE3

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小

  • 產品型號:FF400R06KE3
  • 廠商性質:經銷商
  • 更新時間:2024-01-19
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北京京誠宏泰科技原裝正品現貨銷售英飛凌IGBT模塊FF400R06KE3

英飛凌600V 2單元IGBT模塊FF400R06KE3

北京京誠宏泰科技 大量庫存原裝正品現貨 當天可發貨

集電極—射極擊穿電壓: 600 V

集電極—射極飽和電壓: 1.90 V

集電極zui大連續電流 Ic: 400 A

柵極—射極漏泄電流: 400 nA

典型應用
大功率變流器
電機傳動

UPS系統
電氣特性
增加阻斷電壓至
650V
提高工作結溫Tvjop
高短路能力,自限制短路電流

 

FF150R12KT3G
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