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北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷售英飛凌IGBT模塊；可控硅模塊；整流橋模塊；二極管模塊；晶閘管；可控硅，電容，電源，風(fēng)機(jī)，傳感器，IPM模塊;半導(dǎo)體功率模塊;變頻器配件，驅(qū)動(dòng)板，控制板，CUVC板

以下是關(guān)于 **英飛凌IGBT模塊FZ2400R17KF4** 的詳細(xì)信息整理：

- **電壓等級(jí)**：集射極擊穿電壓為 **1700 V**，適用于中高壓場(chǎng)景。

- **電流能力**：連續(xù)集電極電流（Ic）為 **2400 A**，峰值電流（ICRM）可達(dá)更高值，適合高功率應(yīng)用。

- **開關(guān)特性**：采用 **TRENCHSTOP™ IGBT7** 技術(shù)，具有低導(dǎo)通壓降（VCE(sat)）和優(yōu)化的開關(guān)損耗。

- **熱性能**：工作結(jié)溫（Tvj）范圍為 **-40°C 至 175°C**，支持過載條件下的高溫運(yùn)行。

- **封裝**：模塊化設(shè)計(jì)，底座安裝，封裝型號(hào)為 **AG-62MM**，具備高爬電距離和電氣間隙，符合 **UL1557** 認(rèn)證。

- **工業(yè)變頻器**：用于西門子等品牌的變頻器配件，支持高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

- **新能源系統(tǒng)**：適用于太陽能逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)及不間斷電源（UPS）。

- **牽引與運(yùn)輸**：在商用車輛、軌道交通的牽引系統(tǒng)中發(fā)揮高可靠性優(yōu)勢(shì)。

- **電焊與電源轉(zhuǎn)換**：用于電焊機(jī)、電感充電器和電磁爐等高電流場(chǎng)景。

- **高功率密度**：通過優(yōu)化封裝設(shè)計(jì)，減少并聯(lián)需求，降低系統(tǒng)成本。

- **低損耗設(shè)計(jì)**：采用第四代溝槽柵/場(chǎng)終止技術(shù)，提升開關(guān)效率，減少熱損耗。

- **強(qiáng)散熱能力**：支持銅基板或AlSiC基板，提高熱循環(huán)能力，適用于長(zhǎng)期高負(fù)載運(yùn)行。

- **驅(qū)動(dòng)兼容性**：柵極電阻需根據(jù)具體應(yīng)用優(yōu)化，推薦參考數(shù)據(jù)手冊(cè)值的1-2倍范圍，以平衡開關(guān)速度與二極管反向恢復(fù)特性。

- **供應(yīng)商**：北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司（提供多品牌電力電子器件）。

- **參考價(jià)格**：約 **18,888 元/只**（具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)）。

- **交貨信息**：起訂量≥1只，發(fā)貨地位于北京昌平區(qū)或朝陽區(qū)。

- **FZ2400R17HP4_B28**：類似電壓/電流規(guī)格，價(jià)格約9,999元，工作溫度上限為150°C。

- **FZ2400R17KF6C-B2**：優(yōu)化續(xù)流二極管設(shè)計(jì)，適用于高di/dt場(chǎng)景。

- **低電流版本**：如FZ1200R17KF4（1200A/1700V），價(jià)格約8,888元，適用于中等功率需求。

如需進(jìn)一步了解驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)或技術(shù)文檔，可參考英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系供應(yīng)商獲取支持。

IHM B 1700 V 2400A 190 mm 單開關(guān) IGBT 模塊，配有第四代溝槽柵/場(chǎng)終止 IGBT，

FZ1000R33HL3_S2
FZ1500R33HL3_S2
FF200R33KF2C
FZ400R33KF2C
FZ800R33KF2C
FZ1200R33KF2C
IGBT模塊FZ1000R33HL3
IGBT模塊FZ1000R33HE3
IGBT模塊FZ1200R33HE3
IGBT模塊FZ1500R33HE3
IGBT模塊FZ1500R33HL3
IGBT模塊FZ1600R33HE4
IGBT模塊FZ1400R33HE4
IGBT模塊FZ2400R33HE4
IGBT模塊FF450R33T3E3
IGBT模塊FZ825R33HE4D

高直流電壓穩(wěn)定性
高短路能力
自限制短路電流
低開關(guān)損耗
出色的堅(jiān)固性
Tvj op = 150°C
低 VCEsat，具有正溫度系數(shù)
鋁碳化硅基板，用于提高熱循環(huán)能力
封裝的 CTI > 600
絕緣基板

具有高電流能力的現(xiàn)有封裝，允許在相同框架尺寸的情況下增加逆變器輸出功率

北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司是一家集渠道、分銷、經(jīng)銷、直銷及OEM模式為一體的電力電子半導(dǎo)體銷售和電力電子行業(yè)解決方案的產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)商。

銷售國(guó)內(nèi)外品牌電力電子半導(dǎo)體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊；主要經(jīng)銷德國(guó)Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、

SIEMENS西門子、西門康Semikron、 IXYS艾賽斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科，DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Mitsubishi三菱、

Fuji富士、Fairchild飛兆半導(dǎo)體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達(dá)NIEC，美國(guó)IR，瑞士ABB，POWERSEM,NELL尼爾；yaskawa安川；

英國(guó)西瑪，西班牙CATELEC等公司生產(chǎn)的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶閘管、GTO、GTR達(dá)林頓、整流橋、二極管、場(chǎng)效應(yīng)模塊；日本富士（FUJI）、

日之出（HINODE）、法國(guó)羅蘭（FERRAZ）、英國(guó)GOULD、美國(guó)BUSSMANN快速熔斷器；KEMET，意大利Arcotronics（AV),

Itelcond,意大利FACON,德國(guó)伊凱基ELECTRONICON，法國(guó)湯姆遜TPC，日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；

紅寶石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發(fā)、英國(guó)BHC，BHC Aerovox 電解電容以及美國(guó)CDE無感電容；瑞士CONCEPT IGBT驅(qū)動(dòng)、光耦、變頻器主控板、驅(qū)動(dòng)板，電源板，通信板，接口板

IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

MOSFET全稱功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。

缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司英飛凌IGBT模塊FZ2400R17KF4

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極（C）、發(fā)射極（E）和柵極（G）。

特點(diǎn)：擊穿電壓可達(dá)1200V，集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上，工作頻率可達(dá)20kHz。

英飛凌IGBT模塊FZ2400R17KF4卡特電源配件
北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊；可控硅模塊；晶閘管；二極管模塊；整流橋模塊；PLC模塊；電容；變頻器備件
1700V IGBT英飛凌FZ1500R33HL3_S2

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1	IGBT芯片的功率損耗。這個(gè)值可以通過IGBT芯片廠家提供的datasheet中查到。通常來說，功率損耗越大，工作結(jié)溫就越高。
2	IGBT芯片的封裝方式。不同的封裝方式會(huì)影響散熱效率。一般來說，背面帶有散熱片的封裝方式散熱效果較好。
3	外部散熱器的散熱能力。外部散熱器的散熱能力也會(huì)影響工作結(jié)溫。散熱器的大小、材料以及通風(fēng)情況都會(huì)影響散熱效果。

英飛凌IGBT模塊FZ2400R17KF4卡特電源配件北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊；可控硅模塊；晶閘管；二極管模塊；整流橋模塊；PLC模塊；電容；變頻器備件1700V IGBT英飛凌FZ1500R33HL3_S2

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